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據悉，三星電子計劃于明年生產第9代V-NAND閃存，該產品將采用雙層堆棧架構，層數超過300層。另一方面，SK海力士計劃在2025年上半年量產采用三層堆棧架構的321層NAND閃存。提高存儲密度的手段除了提高層數外，還包括其他方案。目前，4bit單元（QLC）型3D NAND閃存已經實現商業化，而且SSD受益于此也已經變成了“白菜價”。盡管SSD目前已經有開始漲價的跡象，但幾家大廠已經開始研發下一代的5 bit單元（PLC）方案，預計未來將推出容量更大、速度更快的固態硬盤。在FMS 2023閃存峰會上，SK海力士展示了其新型PLC（5-Bit MLC）技術的研究成果。這一技術原理上類似鎧俠2019年開發的Twin BiCS FLASH技術，即用兩個2.5 bit單元，這樣雙線程同時寫入的話一定會比5 bit存儲快得多。在5 bit單元中，一個存儲單元中可以包含32個不同的閾值電壓，而常規方式下用PLC寫入并驗證32個不同的閾值電壓所需時間是TLC的近20倍，這顯然是用戶無法接受的。因此，SK海力士設計了一種新型PLC，將一個5bit單元分為兩個2.5 bit點位，每個點也存儲2.5 bit。然后綜合各個點的數據獲得5 bit數據，這樣就可以使PLC寫入時間與TLC（3bit單元）大致相同。實際上，Solidigm一年前已經展示過首款采用PLC-NAND的SSD，它沿用了當前QLC-NAND一樣的192層閃存，但由于每個單元由5 bit（而非4 bit）點組成，其密度增加至23.3 Gbit / mm?，創下了最高記錄；而憑借321層的第9代新型TLC-NAND，預計SK海力士有望達到20 Gbit / mm?以上的密度。然而，更多的層數也意味著更多的工作步驟和更高的成本，預計早期產品依然還會很貴。

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